BSS138PS

Symbol Micros: TBSS138PS TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 1,9 Ohm; 300mA; 0,35 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSS138PS RoHS .NZ.. Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2420 0,1212 0,0721 0,0598 0,0538
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 1,9Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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