BSS139H6327 Infineon

Name: TBSS139 TBSS139
Brand: Infineon
SKU: TBSS139
Price: 0.1471 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS139

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 30 Ohm; 100mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	100mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3837	0,2503	0,1794	0,1570	0,1471

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

414000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1471

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

240000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1471

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

56500 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1471

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	100mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD