BSS139H6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS139
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3832 0,2500 0,1792 0,1568 0,1470
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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