BSS139H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS139
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 30 Ohm; 100mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
| Max. Drainstrom: | 100mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3223 | 0,2109 | 0,1511 | 0,1319 | 0,1238 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
438000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1238 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
42000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1238 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
55000 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1238 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
| Max. Drainstrom: | 100mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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