BSS169H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS169
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS169H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
387000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0824 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS169H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
14700 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0941 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS169H6906XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1793 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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