BSS192 smd
Symbol Micros:
TBSS192
Gehäuse: SOT89
P-MOSFET 200mA 240V 1W 12Ω BSS192,115
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | Philips |
| Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS192,135
Gehäuse: SOT89
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1646 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS192,115
Gehäuse: SOT89
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1610 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS192,115
Gehäuse: SOT89
Externes Lager:
11000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1646 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | Philips |
| Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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