BSS215PH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS215p
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS215PH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS215PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
561000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0501 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS215PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
45000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0522 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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