BSS314PEH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS314pe
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS314PEH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2335 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2118 0,1172 0,0778 0,0649 0,0605
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0605
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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