BSS606N-P

Name: TBSS606N-P TEC TBSS606N-P TEC
Brand: TECH PUBLIC
SKU: TBSS606N-PTEC
Price: 0.1781 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS606N-P TEC

Gehäuse: SOT89-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7 W; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS606NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT89-3
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSS606N-P RoHS 603N. Gehäuse: SOT89-3 Datenblatt

Auf Lager:

490 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4457	0,2688	0,2049	0,1844	0,1781

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT89-3
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD