BSS63LT1G

Symbol Micros: TBSS63

Gehäuse: SOT23

Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter

Verlustleistung:	350mW
Stromverstärkungsfaktor:	30
Grenzfrequenz:	50MHz
Hersteller:	Fairchild
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Verlustleistung:	350mW
Stromverstärkungsfaktor:	30
Grenzfrequenz:	50MHz
Hersteller:	Fairchild
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP