BSS63LT1G
Symbol Micros:
TBSS63
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1338 | 0,0614 | 0,0334 | 0,0250 | 0,0223 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
252000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0223 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3500 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0300 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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