BSS84
Symbol Micros:
TBSS84 c
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 150mA; 357 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: BSS84-7-F;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 357mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: HOTTECH
Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
1190 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1036 | 0,0409 | 0,0237 | 0,0174 | 0,0159 |
Hersteller: YFW
Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1036 | 0,0409 | 0,0237 | 0,0174 | 0,0159 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 357mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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