BSS84

Symbol Micros: TBSS84 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 150mA; 357 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: BSS84-7-F;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 357mW
Gehäuse: SOT23
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1190 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1036 0,0409 0,0237 0,0174 0,0159
Standard-Verpackung:
3000/18000
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1036 0,0409 0,0237 0,0174 0,0159
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 357mW
Gehäuse: SOT23
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD