BSS84 SOT23 HUASHUO

Symbol Micros: TBSS84 HSH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: HSS2301C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HUASHUO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: HSS2301C RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1616 0,0646 0,0376 0,0312 0,0294
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HUASHUO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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