BSS84

Symbol Micros: TBSS84 YY

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,9 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84-F2-0000HF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,9Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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900 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0696	0,0269	0,0131	0,0104	0,0099

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Geplantes Datum:
2025-05-20

Anzahl Stück: 9000

Widerstand im offenen Kanal:	9,9Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD