BSS8402DW

Symbol Micros: TBSS8402DW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5 Ohm/10 Ohm; 115mA/130mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS8402DW-7-F RoHS Gehäuse: SC70-6 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3246 0,1782 0,1401 0,1299 0,1245
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS8402DW-7-F RoHS KNP. Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3246 0,1782 0,1401 0,1299 0,1245
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS8402DW-7-F Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
225000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1245
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS8402DW-7-F Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
231000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1245
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD