BSS84AK,215
Symbol Micros:
TBSS84ak
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 13,5 Ohm; 180mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS84AK,215 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3700 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1464 | 0,0696 | 0,0392 | 0,0297 | 0,0266 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84AK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0266 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84AK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
777000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0266 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS84AK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
1038000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0266 |
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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