BSS84AKW,115

Symbol Micros: TBSS84akw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 13,5 Ohm; 150mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84AKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1350 0,0640 0,0360 0,0273 0,0245
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84AKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
1164000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0245
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84AKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0245
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84AKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
930000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0245
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD