BSS84DW-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS84dw

Gehäuse: SOT363

2xP-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	130mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Pbf K84.. Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3380 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2513	0,1331	0,1031	0,0952	0,0912

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Pbf K84.. Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2600 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2513	0,1331	0,1031	0,0952	0,0912

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

282000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0912

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0912

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0925

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	130mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD