BSS84P

Symbol Micros: TBSS84p ANB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1684 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 2784+
Nettopreis (EUR) 0,1075 0,0423 0,0248 0,0180 0,0165
Standard-Verpackung:
2784
Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
216 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 216+ 1080+ 5184+
Nettopreis (EUR) 0,1075 0,0425 0,0245 0,0183 0,0165
Standard-Verpackung:
216
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-30
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD