BSS84PWH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS84pw INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
15730 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1937 0,0920 0,0517 0,0392 0,0352
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PW H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1937 0,0920 0,0517 0,0392 0,0352
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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