BSS84PWH Infineon

Symbol Micros: TBSS84pw INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12 Ohm; 150mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
15730 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1638 0,0777 0,0437 0,0333 0,0298
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PW H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1638 0,0777 0,0437 0,0333 0,0298
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
4995000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0298
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
150000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0298
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
13900 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0379
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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