BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON

Symbol Micros: TBSZ075n08ns5
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Gehäuse: TSDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,5 mOhm; 40A; 69W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSZ075N08NS5ATMA1 Gehäuse: TSDSON08  
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5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3813
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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