BSZ086P03NS3 G

Symbol Micros: TBSZ086p03ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSDSON08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 13,4 mOhm; 40A; 69W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSZ086P03NS3GATMA1 Gehäuse: TSDSON08  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2516
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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