BSZ097N04LSG TSDSON-8

Symbol Micros: TBSZ097n04lsg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 14,2 mOhm; 40A; 35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSZ097N04LSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14,2mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSZ097N04LSGATMA1 Gehäuse: TSDSON08  
Externes Lager:
1723979 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1288
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSZ097N04LSGATMA1 Gehäuse: TSDSON08  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2005
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14,2mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD