BSZ097N04LSG TSDSON-8
Symbol Micros:
TBSZ097n04lsg
Gehäuse: TSDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 14,2 mOhm; 40A; 35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSZ097N04LSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 14,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
Gehäuse: | TSDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSZ097N04LSGATMA1
Gehäuse: TSDSON08
Externes Lager:
1723979 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1288 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSZ097N04LSGATMA1
Gehäuse: TSDSON08
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2005 |
Widerstand im offenen Kanal: | 14,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
Gehäuse: | TSDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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