BU508DF iso

Symbol Micros: TBU508d iso c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3Piso (SOT199)
NPN 8A 700V 125W NPN 8A 700V 125W
Parameter
Verlustleistung: 34W
Grenzfrequenz: 7MHz
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO 3Piso (SOT199)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 700V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 34W
Grenzfrequenz: 7MHz
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO 3Piso (SOT199)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 700V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN