BUK7K15-80EX

Symbol Micros: TBUK7k15-80ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; BUK7K15-80EX
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7K15-80EX RoHS Gehäuse: LFPAK Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 21+ 84+ 252+
Nettopreis (EUR) 1,7790 1,4097 1,2694 1,2086 1,1852
Standard-Verpackung:
21
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD