BUK7M12-60EX

Symbol Micros: TBUK7m12-60ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M12-60EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8615 1,4683 1,2705 1,1891 1,1635
Standard-Verpackung:
4
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M12-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
121500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1635
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M12-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1635
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD