BUK7M15-60EX

Symbol Micros: TBUK7m15-60ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 34 mOhm; 43A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M15-60EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7999 1,3781 1,1672 1,0851 1,0593
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Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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