BUK7M27-80EX
Symbol Micros:
TBUK7m27-80ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BUK7M27-80EX RoHS
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 4+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,8842 | 1,4868 | 1,2858 | 1,2039 | 1,1782 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BUK7M27-80EX
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,1782 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BUK7M27-80EX
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1782 |
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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