BUK7M67-60EX

Name: TBUK7m67-60ex TBUK7m67-60ex
Brand: NXP
SKU: TBUK7m67-60ex
Price: 0.6958 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBUK7m67-60ex

Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 150 mOhm; 14A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M67-60EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt

Auf Lager:

4 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,3217	0,9610	0,7865	0,7190	0,6958

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M67-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6958

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M67-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

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7500 stk.

Anzahl Stück	1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6958

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M67-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

Externes Lager:

1500 stk.

Anzahl Stück	1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6958

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD