BUK7M6R3-40EX

Symbol Micros: TBUK7m6r3-40ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 12,5 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M6R3-40EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1495 0,7632 0,6329 0,5701 0,5468
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Standard-Verpackung:
5
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK7M6R3-40EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5468
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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