BUK9M19-60EX

Name: TBUK9m19-60ex TBUK9m19-60ex
Brand: NXP
SKU: TBUK9m19-60ex
Price: 1.0448 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBUK9m19-60ex

Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	43mOhm
Max. Drainstrom:	38A
Maximaler Leistungsverlust:	62W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK9M19-60EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7755	1,3124	1,1449	1,0890	1,0448

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK9M19-60EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

Externes Lager:

4500 stk.

Anzahl Stück	1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0448

Widerstand im offenen Kanal:	43mOhm
Max. Drainstrom:	38A
Maximaler Leistungsverlust:	62W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD