BUK9M23-80EX
Symbol Micros:
TBUK9m23-80ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 58mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 58mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Montage: | SMD |
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