BUK9M23-80EX

Symbol Micros: TBUK9m23-80ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK9M23-80EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,0849 1,5963 1,4148 1,3543 1,3031
Standard-Verpackung:
5
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK9M23-80EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3031
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD