BUK9M52-40EX

Symbol Micros: TBUK9m52-40ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 101mOhm
Max. Drainstrom: 17,6A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK9M52-40EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5870 1,1542 0,9447 0,8633 0,8354
Standard-Verpackung:
4
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK9M52-40EX Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8354
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 101mOhm
Max. Drainstrom: 17,6A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD