BUK9M5R2-30EX
Symbol Micros:
TBUK9m5r2-30ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BUK9M5R2-30EX RoHS
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0105 | 1,5381 | 1,3636 | 1,3054 | 1,2565 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BUK9M5R2-30EX
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2565 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BUK9M5R2-30EX
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2565 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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