BUK9V13-40HX
Symbol Micros:
TBUK9V13-40HX
Gehäuse: LFPAK56D
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 46W |
| Gehäuse: | LFPAK56D |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 46W |
| Gehäuse: | LFPAK56D |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Montage: | Surface Mount |
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