BUK9Y21-40E NEXPERIA

Name: TBUK9y21-40e TBUK9y21-40e
Brand: NXP
SKU: TBUK9y21-40e
Price: 0.5352 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBUK9y21-40e

Gehäuse: LFPAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42,2mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK9Y21-40E,115 RoHS Gehäuse: LFPAK Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1239	0,7469	0,6190	0,5585	0,5352

Widerstand im offenen Kanal:	42,2mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	LFPAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD