BUL128D-B   STMicroelectronics

Symbol Micros: TBUL128d-b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Transistor GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Parameter
Verlustleistung: 70W
Stromverstärkungsfaktor: 32
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUL128D-B RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5768 0,3456 0,2639 0,2475 0,2305
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUL128D-B Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2657
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 70W
Stromverstärkungsfaktor: 32
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN