BUL53B

Symbol Micros: TBUL53B
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 20MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Semelab
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Hersteller: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Hersteller-Teilenummer: BUL53B RoHS Gehäuse: TO220  
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,4726 2,0640 1,8268 1,7141 1,6484
Standard-Verpackung:
10
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 20MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Semelab
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN