BUT11A

Symbol Micros: TBUT11a

Gehäuse: TO220

NPN 5A 450V 100W NPN 5A 450V 100W

Parameter

Verlustleistung:	100W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	450V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUT11A RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4595	1,0228	0,8430	0,7776	0,7683

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUT11A RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

145 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4595	1,0228	0,8430	0,7776	0,7683

Verlustleistung:	100W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	450V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN