BUZ11-NR4941

Name: TBUZ11 TBUZ11
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBUZ11
Price: 0.5168 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBUZ11

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

658 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0852	0,7963	0,6389	0,5473	0,5168

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5168

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

13620 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5296

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5168

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT