BUZ11-NR4941

Symbol Micros: TBUZ11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
1558 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0844 0,7958 0,6376 0,5468 0,5166
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
10230 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5220
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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