C3M0120090J Cree/Wolfspeed

Symbol Micros: TC3M0120090J
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK/7
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CREE Hersteller-Teilenummer: C3M0120090J RoHS Gehäuse: D2PAK/7 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Nettopreis (EUR) 10,3183 9,2166 8,4317 7,7309 7,2149
Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT