CSD17308Q3

Symbol Micros: TCSD17308q3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VSON-CLIP08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 16,5 mOhm; 44A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17308Q3T

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD17308Q3 RoHS Gehäuse: VSON-CLIP08(3.3x3.3) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8353 0,5288 0,4165 0,3791 0,3627
Standard-Verpackung:
1050
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD