CSD17581Q3A

Symbol Micros: TCSD17581q3a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 101A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q3AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 101A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD17581Q3A RoHS Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3) Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3054 0,9131 0,7753 0,7099 0,6865
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 101A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD