CSD17581Q5A

Symbol Micros: TCSD17581q5a
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Gehäuse: VSONP08(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 123A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q5AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD17581Q5A RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8734 0,6398 0,5137 0,4414 0,4157
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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