CSD18532KCS

Symbol Micros: TCSD18532KCS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP16NB25 STP20NE06L;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18532KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9947 1,5900 1,3625 1,2237 1,1734
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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