CSD18533KCS

Symbol Micros: TCSD18533kcs

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	118A
Maximaler Leistungsverlust:	192W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18533KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

18 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,8868	1,5039	1,2867	1,1559	1,1092

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	118A
Maximaler Leistungsverlust:	192W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT