CSD18537NQ5A

Symbol Micros: TCSD18537nq5a
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Gehäuse: VSONP08(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18537NQ5AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 54A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18537NQ5AT RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2377 0,8664 0,7356 0,6725 0,6515
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 54A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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