CSD18542KCS

Symbol Micros: TCSD18542kcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,1 mOhm; 200A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,1mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18542KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9335 1,5412 1,3194 1,1863 1,1372
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5,1mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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