CSD19505KCS

Symbol Micros: TCSD19505kcs

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 3,8 mOhm; 208A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,8mOhm
Max. Drainstrom:	208A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD19505KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	20+	100+
Nettopreis (EUR)	3,1642	2,7228	2,4636	2,3749	2,2605

Widerstand im offenen Kanal:	3,8mOhm
Max. Drainstrom:	208A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT