CSD19506KCS

Symbol Micros: TCSD19506kcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 2,8 mOhm; 273A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 273A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD19506KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,8461 3,4187 3,1642 3,0731 2,9587
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Standard-Verpackung:
10/20
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 273A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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