CSD19534KCS

Symbol Micros: TCSD19534kcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 118W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD19534KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2213 0,9317 0,7706 0,6749 0,6422
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 118W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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