CSD19538Q3A

Symbol Micros: TCSD19538q3a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55 °C ~ 150 °C; CSD19538Q3AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD19538Q3A RoHS Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3) Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9811 0,7193 0,5778 0,4952 0,4669
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD