D44H8G

Symbol Micros: TD44H8G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 50MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: D44H8G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4460
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 50MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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