D44H8G

Symbol Micros: TD44H8G

Gehäuse: TO220

Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Parameter

Verlustleistung:	2W
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	50MHz
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Verlustleistung:	2W
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	50MHz
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN