D44H8G

Symbol Micros: TD44H8G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 50MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 50MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN